長江存儲64層3D NAND閃存晶圓9月2日，紫光集團(tuán)旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司(長江存儲)宣布，已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC
長江存儲64層3D NAND閃存晶圓
9月2日，紫光集團(tuán)旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司(長江存儲)宣布，已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。
作為中國首款64層3D NAND(三維閃存)閃存，該產(chǎn)品將亮相IC China 2019紫光集團(tuán)展臺。Xtacking®技術(shù)的研發(fā)成功和64層3D NAND閃存的批量生產(chǎn)，標(biāo)志著長江存儲已走出了一條高端芯片設(shè)計(jì)制造之路。
據(jù)介紹，長江存儲64層3D NAND閃存是全球首款基于Xtacking®架構(gòu)設(shè)計(jì)，并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品，擁有同代產(chǎn)品中最高的存儲密度。Xtacking可實(shí)現(xiàn)在兩片獨(dú)立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲單元，這樣有利于選擇更先進(jìn)的制造工藝。
當(dāng)兩片晶圓各自完工后，創(chuàng)新的Xtacking技術(shù)只需一個(gè)處理步驟，就可通過數(shù)十億根垂直互聯(lián)通道(VIA)將兩片晶圓鍵合。相比傳統(tǒng)3D NAND閃存架構(gòu)，Xtacking可帶來更快的I/O傳輸速度、更高的存儲密度和更短的產(chǎn)品上市周期。
長江存儲計(jì)劃推出集成64層3D NAND閃存的固態(tài)硬盤、UFS等產(chǎn)品，以滿足數(shù)據(jù)中心，以及企業(yè)級服務(wù)器、個(gè)人電腦和移動設(shè)備制造商的需求。
長江存儲聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級副總裁程衛(wèi)華表示：“通過將Xtacking架構(gòu)，引入批量生產(chǎn)，能夠顯著提升產(chǎn)品性能，縮短開發(fā)周期和生產(chǎn)制造周期，從而推動高速大容量存儲解決方案市場的快速發(fā)展。”
程衛(wèi)華還提到，“隨著5G、人工智能和超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心時(shí)代的到來，閃存市場的需求將持續(xù)增長。長江存儲64層3D NAND閃存產(chǎn)品的量產(chǎn)將為全球存儲器市場健康發(fā)展注入新動力。”(記者 周玲)
